| 上海智j9九游会微电子有限公司（Chipstar Microelectronics Limited）于2010年4月成立于上海张江高科技园区，并在深圳和香港设立分支机构。公司以手机，LCD-TV等消费类市场为主，专注于各种模拟以及数模混合IC的设计以及研究。... |  |
| 上海智j9九游会微电子有限公司（Chipstar Microelectronics Limited）于2010年4月成立于上海张江高科技园区，并在深圳和香港设立分支机构。公司以手机，LCD-TV等消费类市场为主，专注于各种模拟以及数模混合IC的设计以及研究。... |  |
| 上海智j9九游会微电子有限公司（Chipstar Microelectronics Limited）于2010年4月成立于上海张江高科技园区，并在深圳和香港设立分支机构。公司以手机，LCD-TV等消费类市场为主，专注于各种模拟以及数模混合IC的设计以及研究。... |  |
| 特点 | 线性充电，输入耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(mA) | 600 |
| 输入电压（V） | 4.5-6.6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | SOT23-5L | ||||
| 特点 | 线性充电，输入耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(mA) | 600 |
| 输入电压（V） | 4.5-6.6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | SOT23-5L | ||||
| 类别 | 线性充电，输入耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(mA) | 600 |
| 输入电压（V） | 4.5-6.6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | SOT23-5L | ||||
| IU5066E |
中文数据表 |
英文数据表 |
|||
| 特点 | 线性充电，输入耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 1.3 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | ESOP8L | ||||
| 特点 | 线性充电，输入耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 1.3 |
| 输入电压（V） | 3.6-6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | ESOP8L | ||||
| IU5070E |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 线性充电，输入耐压33V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 1.5 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-8.6 | 充电电压精度 | 1% | ||
| 封装 | EQA16 | ||||
| IU5096T |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 开关充电，BAT端耐压30V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 1.5 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-6 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | DFN2X2_8L | ||||
| IU5099E |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 开关充电，BAT端耐压30V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-6 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | e-MSOP10 | ||||
| IU5180C |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 升降压充电，BAT端耐压30V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 3 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-21 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | TSSOP20-PP | ||||
| IU5186C |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 升降压充电，BAT端耐压30V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 3 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-21 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | TSSOP20-PP | ||||
| IU5200D |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 升降压充电，BAT端耐压30V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 3 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-21 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | DFN4X4_32L | ||||
| IU5302T |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 降压充电 | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2 |
| 典型工作电压（V） | 3.6-21 | 开关频率（KHz） | 900 | ||
| 封装 | DFN2X2_10L | ||||
| 特点 | 降压充电，BAT端耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2.5 |
| 输入电压（V） | 3.9-5.5 | 开关频率（KHz） | 850 | ||
| 封装 | e-MSOP10 | ||||
| 特点 | 降压充电，BAT端耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 3.5 |
| 输入电压（V） | 3.6-20 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | EQA16 | ||||
| IU5380C |
中文数据表 |
英文数据表 |
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| 特点 | 降压充电，BAT端耐压36V | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 3 |
| 典型工作电压（V） | 9-26 | 开关频率（KHz） | 500 | ||
| 封装 | TSSOP20-PP | ||||
| 特点 | 开关降压充电 | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2 |
| 输入电压（V） | 3.5-7.0 | 开关频率（KHz） | 900 | ||
| 封装 | SOT23-6L | ||||
| 特点 | 超级电容同步降压 | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2 |
| 输入电压（V） | 3.5-7.0 | 开关频率（KHz） | 900 | ||
| 封装 |
DFN2X2_10L |
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| 特点 | MPPT功能，同步降压 | 功率MOS | 内置 | 最大充电电流(A) | 2 |
| 输入电压（V） | 3.5-8.0 | 开关频率（KHz） | 900 | ||
| 封装 |
DFN2X2_10L |
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